半導(dǎo)體散熱
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展，功率器件的性能需要不斷提升，以滿足新一代電子產(chǎn)品對高頻大功率器件的要求?；谛乱淮雽?dǎo)體材料氮化鎵（GaN）的功率器件具有高頻、超寬頻及高輸出功率等顯著優(yōu)勢，在未來的通信領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。然而器件在大功率工作時會產(chǎn)生熱量，隨著熱量的不斷累積，芯片的溫度會升高，致使器件的輸出功率大幅衰減，無法充分發(fā)揮器件的性能。芯片級的高效散熱技術(shù)因此成為了半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。
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